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场效应管的参数是什么?
场效应管4102STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。场效1653应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
VGS(th)---控制栅门限电压(或叫最低栅控制电压)VGSM---控制栅最大电压 ID---漏极最大电流 tr---最大工作频率(或叫响应速度)RDS(on)--D/S导通电阻 使用者注意以上参数便行。
P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。
场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。
k1249场效应管引脚参数
1、做场效应管的S 极， 4 引脚是个单独的引脚，做场效应管的G 极， 7 、8 引脚是连在一起的，做场效应管的D 极。
2、判别场效应管的引脚可以用万用表识别结型场效应管引脚的方法。利用用万用表识别N或P沟道结型场效应管利用G极和S极之间，G极和D极之间为一个PN结的原理。
3、场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。
irfp250n场效应管参数
①、关于以上IRFP250场效应管参数是：∥耐压：200V∥电流：30A∥。②、关于以上那IRF540N场效应管参数是：∥耐压：100V∥电流：33A∥。③、关于以上两款场效应管不能只看电流，而且更得关注管子的耐压才行。
IRFP250与250N在参数上有少量区别，250的持续电流ID为33A，250N在30A（都是25摄氏度时的最大值）。功率不同 耗散功率IRFP250为180W，250N为214W。
IRFP250M是200V的 N 通道 HEXFET Power MOSFET功率场效应管，采用TO-247封装，适用于100kHz以下的开关应用，其内部等效电路和引脚封装图如下。
IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。
IRF3205耐压55V耐流110A，低压性能比IRFP250好得多，只是功率稍小（极限200W），但它的封装较小（TO-220）也有贴片的（TO-263）可以做小型ZVS。
场效应管型号和参数
1、IRFU0IRFPG4IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。
2、d450场效应管参数有型号为D450，类型是N沟道场效应管，耗散功率为500W，漏极电流为22A，漏极和源极电压为500V，封装为TO-240AA。根据查询相关公开信息显示，场效应晶体管主要有两种类型。
3、场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。
4、根据查询10n60场效应管的结构参数可知，该设备的电压：600V，电流：10A，最大耗散功率：85WID，型号：10n60等。场效应管是一种具有放大作用（电压放大倍数可达30～倍）、输入阻抗高（10KΩ左右），电流小，重量轻等优点。
10n60三极管的参数及管角排例
1、管脚排列顺序：E、B、C或E、C、B。S8050是一款小功率NPN型硅管，集电极-基极（Vcbo）电压最大可为40V，集电极电流为（Ic）0.5A。S8050是电路硬件设计最常用半导体三极管型号之一。
2、场效应管cs8n60参数：8n60，5A，600V，RDS=2欧。10n60参数：10A，600V，RDS=0.73欧。
3、①、如果 这10N60的场效应管的参数是/耐压：600Ⅴ/电流：10A/。②、向以上此场效管可直接用 11N60代换。
场效应管cs630参数
1、V，2A，65W，STk630。CS630场效应管是大功率单向可控硅，单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通。根据查询大家都在问得知，cs630参数为600V，2A，65W，可代换为STk630。
2、N60不能用CS630代用，因为两者不是同一种功能的器件，6N60是N-MOSFET，600V、2A、65W。而CS630却是大功率单向可控硅，基本参数是1200V、630A。
3、场效应管。cs2n60f是N沟道场效应管，是属于金属氧化物半导体场效应晶体管，经常用于载流子导电的半导体器件。场效应管主要有两种类型，结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
4、场效应管cs8n60用10n60型号管子代换。 场效应管cs8n60参数：8n60，5A，600V，RDS=2欧。10n60参数：10A，600V，RDS=0.73欧。 场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。
5、sss6n60a场效应管的参数为：6A 600V。可用2SK2141代换。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
6、类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管，沟道类型：N型沟道，导电方式：增强型，适合频率：中频。ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。
到此，以上就是小编对于在主板上如何测场效应管好坏的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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