主板场效应管沟道（主板的场效应管）-兴科数码

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场效应管标称一般是Kxxxx 比如 K2249 或者直接是数字比如3015在路测肯定是不准的，推荐脱开引脚测试。场效应管只一次通，而三极管是二次通场效应管主要使用位置：CPU供电部分内存供电，显卡供电。

外形分不靠谱，因为不同类型的原件可以用相同的封装（即外形）体积大的可以从型号分。

场效应管是电压控制型.从型号区分：场效应管型号如IRF...三极管型号如国产：3DD，国外：2S...场效应管有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。

一般电源上使用的MOS管是比较好的，尤其是开关电源部分。而用于控制的管子比较拉拉。体积较大的管子一般是电源上的管，面积大利于散热。不过这些都是直观上的，外观上看不到重要参数的，主要还是看DATASHEET。

除此而外，在电源插座附近一般还有主板的供电及稳压电路。主板的供电及稳压电路也是主板的重要组成部分，它一般由电容，稳压块或三极管场效应管，滤波线圈，稳压控制集成电路块等元器件组成。

q一般标示半导体三极管 1/2/3是数字编号一般就是临近的一组至于哪个是1，哪个是3 这个完全是厂家自己的只有了没有固定规律的除非你能拿到主板电路图。

1、场效应管的分为N沟道和P沟道。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

2、N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。区分：首先，先判定MOS的三个极，G极，中间的电极为G极，非常好认。

3、）N、P沟道如何区分？箭头指向G极的就是N沟道。箭头背向G极的就是P沟道。3）寄生二极管方向 N沟道，由S极指向D极。P沟道，由D极指向S极。MOS管导通条件 N沟道：UgUs时导通。（简单认为）Ug=Us时截止。

4、MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。

5、若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

6、若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是P沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

，3。说个简单的给你黑表笔接d极，红表笔接s极，有500欧左右的阻值为n沟红表笔接d极，黑表笔接s极，有500欧左右的阻值为p沟 4。

MOSFET-P和MOSFET-N的区别：MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。

N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。区分：首先，先判定MOS的三个极，G极，中间的电极为G极，非常好认。

从寄生二极管的方向判断，N沟道是由S极指向D极，P沟道是由D极指向S极。MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。

到此，以上就是小编对于主板的场效应管的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。